瑶芯微发布1200V碳化硅超级结MOSFET 瞄准高效电源等应用

    本报讯 （记者金婉霞）随着新能源汽车、AI数据中心、光伏储能等领域对高效率、高功率密度电源需求持续增长，碳化硅功率器件的应用场景正在进一步拓展。

    日前，瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司（以下简称“瑶芯微”）在上海发布一款1200V碳化硅超级结MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品。据介绍，该产品由瑶芯微与中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃团队联合研发，并与芯联集成电路制造股份有限公司合作开展工艺平台开发，目前已完成产品性能及可靠性验证。

    碳化硅功率器件主要应用于电能转换环节。近年来，伴随新能源汽车向800V高压平台发展，以及AI服务器功率提升、数据中心供电架构持续演进，下游客户对于功率器件的耐压、损耗、功率密度及高温工作性能提出了更高要求。记者从现场获悉，此次发布的产品规格为1200V/28mΩ，持续电流在25℃下为60A。根据企业公布的测试数据，其实际耐压达到1635V，175℃下导通电阻温度系数小于1.2。“实际应用中，功率器件并不是在常温下工作，新能源汽车、电源等场景往往要考虑100多摄氏度下的性能。”瑶芯微联合创始人、CTO陈开宇表示，经企业测算，在新能源汽车应用方面，在相同芯片尺寸条件下，采用更耐高压的碳化硅功率器件，可以减少部分芯片并联数量；在AI数据中心高压直流供电、固态变压器等场景，更高耐压的碳化硅功率器件有望减少器件级联数量，从而简化部分系统设计；此外，瑶芯微还将车载充电器、光储充等高效电源市场列为重点应用方向。

    西安电子科技大学教授贾仁需表示，随着器件耐压等级提升，传统结构中与耐压相关部分的电阻占比会进一步增加，而下游应用又同时需要较高耐压和较大的通流能力，因此产业界一直在探索新的器件结构，“实际使用不仅看常温下的性能，还要考虑高温、开关以及长期可靠性，这也是产品化过程中需要重点解决的问题。”

    目前，这款产品已经从研发阶段进入产业化推广阶段。陈开宇透露，公司已完成产品性能评估及标准可靠性验证，将针对不同应用场景，与客户开展具体项目导入和商业方案验证。

    从市场导入节奏来看，高效电源或将成为该公司首批重点研发方向，具体则包括AI数据中心相关电源、充电设备以及新能源汽车车载充电器等。后续，瑶芯微还计划基于超级结技术继续开发面向数据中心中压配电、固态变压器等高压应用场景的2300V、3300V及更高耐压等级产品。

（编辑 郭奕妍 汪世军）