中微公司全球首台高选择性刻蚀设备顺利付运

    本报讯 （记者张文湘见习记者占健宇）近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）宣布，Primo Domingo®气相高选择性刻蚀设备全球首台机顺利付运国内重要集成电路研发制造客户。芯片架构三维化正成为支持芯片持续缩微的重要动能，而高选择性刻蚀工艺是三维器件制造的最关键工艺之一。针对GAA（全环绕栅极）、3D NAND（三维闪存）、3D DRAM（三维动态随机存取存储器）等器件工艺需求，中微公司在高选择性刻蚀设备领域取得重要突破。

    据了解，目前，中微公司刻蚀设备全面覆盖从65纳米到3纳米及更先进工艺的刻蚀应用，全面覆盖存储器中各类超高深宽比刻蚀应用。介质刻蚀达到60比1，90比1的极高深宽比，硅刻蚀达到140比1的极高深宽比，已经达到国际一流水平。该公司在行业内首创的双反应台（Dual-Station）ICP（电感耦合等离子体）刻蚀技术，已经达到0.2纳米的单原子水平，相当于一根头发丝直径的30万分之一。

（编辑 张昕）