从跟跑到领跑 天岳先进改写全球碳化硅产业格局

    本报记者 王僖

    近日，日本调研机构富士经济发布报告显示，2025年，中国企业山东天岳先进科技股份有限公司（以下简称“天岳先进”）在6英寸、8英寸碳化硅衬底全球市场占有率双双站上全球首位。其中，8英寸碳化硅衬底全球市占率突破50%，打破了美国Wolfspeed（美国狼速公司）长期占据榜首的记录。

    从稳居全球前三，到2024年跃居第二，再到2025年全面领跑，天岳先进用三年时间完成了从“跟跑”到“领跑”的关键跨越。这一变化不仅折射出中国企业在第三代半导体材料领域竞争力的跃升，也为全球碳化硅产业链的格局重塑注入了新的变量。

    市占率登顶全球首位

    大尺寸赛道优势领先

    碳化硅衬底是第三代半导体的核心材料，也是新能源汽车、光伏储能、AI算力等高端产业的关键基石之一。衬底制备难度高、成本大，企业的市场份额既代表技术实力，也体现一国在关键材料领域的产业话语权。

    2023年之前，天岳先进虽已连续多年稳居全球前三，但与Wolfspeed仍存在较大差距。根据Yole报告，2022年Wolfspeed全球市占率高达42%，而天岳先进整体市占率仅在10%至12%之间。

    转折出现在2023年。天岳先进有关负责人近日对《证券日报》记者表示：“当年，上海临港碳化硅半导体材料生产基地实现投产，我公司长期积累的技术优势得以规模化释放，产能持续攀升。”

    受此推动，2024年，天岳先进以22.8%的市场份额位居全球第二，紧追Wolfspeed。2025年，凭借与博世、英飞凌、安森美等国际大厂的深度合作，天岳先进在6英寸及8英寸产品上全面实现反超。

    尤其是该公司在8英寸碳化硅衬底的全球市场占有率突破50%，成功改写了碳化硅行业的格局。天岳先进上述负责人表示：“虽然全球碳化硅领域主要市场需求和主流竞争仍聚焦于6英寸，但与6英寸晶圆相比，8英寸晶圆可增加芯片产量90%，成本有望降低54%，大尺寸化已成为碳化硅大规模应用的关键路径，8英寸增量市场也将是未来发展的核心。”

    据统计，目前，全球已有超过10条8英寸碳化硅产线规划落地，英飞凌、博世、罗姆等国际头部企业均已明确8英寸碳化硅产线升级路线图。而天岳先进凭借在业内首创使用液相法制备技术，已能够制备无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底。

    在未来新的应用领域，天岳先进最早布局12英寸碳化硅技术。2024年11月份推出业内首款12英寸碳化硅衬底，2025年完成导电型、半绝缘型、P型全产品矩阵构建。这种在大尺寸领域的引领，正推动全球碳化硅产业迈入全新发展阶段。

    努曼陀罗商业战略咨询创始人霍虹屹对《证券日报》记者表示，中国企业在8英寸领域的领先，会让大尺寸化成为不可逆的主流方向，而国内企业在液相法等创新制备技术上的探索，也为行业提供了新的技术范式，未来全球技术路线的选择将不再由单一区域主导，而是呈现“多元创新、协同演进”的格局，这对整个产业的技术迭代更具建设性。

    成本下行拓宽应用边界

    头部企业卡位新赛道

    随着以天岳先进为代表的国内衬底材料企业实现规模化突破，碳化硅衬底成本正步入下行通道，这为下游应用打开了广阔的发展空间。在新能源汽车领域，碳化硅器件已从“高端选配”加速迈向“主流标配”。除主驱逆变器外，车载充电机、DC-DC变换器（直流变换器）、电池管理系统等核心部件也已逐步采用碳化硅方案。

    Yole数据显示，全球新能源汽车碳化硅渗透率有望从2022年的19.2%快速提升至2029年的47.7%。

    除新能源汽车、光储充等赛道外，AI数据中心（AIDC）、固态变压器（SST）、AR眼镜/光学领域、先进封装等新赛道正迎来碳化硅的应用突破。

    其中，在AI数据中心领域，算力指数级爆发正倒逼供电架构升级。800V高压直流成为行业主流选择，固态变压器作为核心枢纽，为碳化硅技术带来新的市场机遇。此外，半绝缘型碳化硅衬底在AR/VR光学领域实现突破性应用，成为消费电子新增长点；在先进封装领域，碳化硅凭借高热导率、高机械强度和良好的电绝缘性，已成为2.5D/3D封装中的理想中介层材料。

    面对新兴赛道，天岳先进正加速产能建设与前沿布局。早在2024年，该公司就提出了96万片的产能规划，目前正分步推进。2025年8月份，天岳先进成功登陆港交所，成为A+H两地上市的唯一碳化硅衬底企业，募集资金将用于国内外产能建设。

    “中国企业领跑，正在重塑全球碳化硅产业链的抗风险能力与定价逻辑。”中关村物联网产业联盟副秘书长袁帅对《证券日报》记者表示，中国成为全球碳化硅衬底最稳定的供应源，极大增强了全球供应链的安全边际；中国企业的规模效应将倒逼全球市场进入更合理的价值回归区间，让下游终端厂商获得更多溢价空间；同时，技术路线上的引领，也将确保我国在下一代功率半导体浪潮中的话语权。

（编辑 上官梦露）